

#ккк #terrorism #transistor #radiostor #control #IC
「トランジスター」に関連した英語例文の一覧 - Weblio英語
http://p228.pctrans.mobile.yahoo-net.jp/fweb/1122qQ2pJIREdKY0/0?_jig_=http%3A%2F%2Fejje.weblio.jp%2Fsentence%2Fcontent%2F%25E3%2583%2588%25E3%2583%25A9%25E3%2583%25B3%25E3%2582%25B8%25E3%2582%25B9%25E3%2582%25BF%25E3%2583%25BC&_jig_keyword_=%83g%83%89%83%93%83W%83X%83%5E%81%5B%20%89p%8C%EA%20%97%E1%95%B6%20weblio&_jig_done_=http%3A%2F%2Fsearch.mobile.yahoo.co.jp%2Fp%2Fsearch%2Fpcsite%2Flist%3Fsbox%3DSBB%26squery%3D%25E3%2583%2588%25E3%2583%25A9%25E3%2583%25B3%25E3%2582%25B8%25E3%2582%25B9%25E3%2582%25BF%25E3%2583%25BC%26p%3D%2583g%2583%2589%2583%2593%2583W%2583X%2583%255E%2581%255B%2B%2589p%258C%25EA%2B%2597%25E1%2595%25B6%2Bweblio%26trans%3D0&_jig_source_=srch&guid=on
トランジスター → Transistor
http://p220.pctrans.mobile.yahoo-net.jp/fweb/1122TwSOwFXHF2hm/0?_jig_=http%3A%2F%2Fwww.ee.ibaraki.ac.jp%2F09student%2FLectures%2FKisoDenki%2FTr%2FTr_as_SW.html&_jig_keyword_=%83g%83%89%83%93%83W%83X%83%5E%81%5B&_jig_done_=http%3A%2F%2Fsearch.mobile.yahoo.co.jp%2Fp%2Fsearch%2Fpcsite%2Flist%3Fsbox%3DSBB%26squery%3D%25E3%2583%25A9%25E3%2582%25B8%25E3%2582%25AA%25E3%2582%25B9%25E3%2582%25BF%26p%3D%2583g%2583%2589%2583%2593%2583W%2583X%2583%255E%2581%255B%26trans%3D0&_jig_source_=srch&guid=on
トランジスタースイッチ → Transistor switch
電子スイッチとしてのトランジスターの動作を理解する。 → Understandtheoperation ofthetransistor astheelectronic switch.
トランジスター(transistor) → Transistor (transistor)
コンピュータや携帯電話を始めとする様々な電子回路を構成するのに非常に重要な半導体素子(デバイス)。 → Asemiconductor element(device)which is very important to constitute various electronic circuits includingacomputer andthecell-phone.
信号の増幅や電子制御スイッチとして使用される。 → Used astheamplification andanelectronic control switch ofthesignals.
"transferofasignalthroughavarister または transitresistor"からの造語。 → Acoined word from "transfer ofasignal throughavarister or transit resistor".
シリコン(Si)、砒化ガリウム(GaAs)等の半導体結晶から作られている。 → It is made from semiconductor crystals such as silicon(Si), thegallium arsenide(GaAs).
トランジスタには、エミッタ(emitter)、ベース(base)、コレクタ(collector)と言う3つの電極がある。 → Atransistor has emitter (emitter),base (base),three electrodes calledacollector(collector).
P型とN型の半導体の組み合わせ方により、NPNとPNPの2つのタイプがある。 → By combination ofPtype and semiconductor ofthe Ntype,there are two types of NPN and PNP.
npn型トランジスタ → npn type transistor
pnp型トランジスタ → pnp type transistor
電流はP(positive)型からN(negative)型へ流れる。 → Theelectric current spreads fromaP(positive) type intheN(negative) type.
2SAXXX → 2SAXXX
PNPタイプ、小信号用、高周波用 → It is for PNP type,small signals and is for high frequencies
2SBXXX → 2SBXXX
PNPタイプ、電力用、低周波用 → It is for PNP type,electricity and is for low frequencies
2SCXXX → 2SCXXX
NPNタイプ、小信号用、高周波用 → It is for NPN type,small signals and is for high frequencies
2SDXXX → 2SDXXX
NPNタイプ、電力用、低周波用 → It is for NPN type,electricity and is for low frequencies
トランジスタのピン配置 → Pin placement ofthetransistor
2SC1815の場合 → In the case of 2SC1815
各電極のピン配置は、トランジスターによって異なるので、規格表等で調べる必要がある。 → Because it varies according toatransistor, thepin placement of each electrode has to check it in standard lists.
(2SD880の場合) → In the case of (2SD880)
増幅作用 → Amplification action
エミッタ-ベース間のわずかな電流変化が、エミッタ-コレクタ間電流に大きな変化となって現れる。 → Slight current change betweentheemitter-bass becomesthebig change fortheelectric current between emitter-collectors and emerges.
ベース電流を入力信号とし、エミッタ-コレクタ間の電流を出力信号とする事で、増幅作用が得られる。 → Assumeabase electric currentaninput signal,and amplification action is provided by assumingtheelectric current between emitter-collectorsanoutput signal.
スイッチング作用 → Switching action
エミッタ-ベース間に僅かな電流を流す事で、エミッタ-コレクタ間に、その何倍もの電流を流す事が出来る。 → Between emitter-collectors, can cancelanelectric current of several times by canceling a few electric currents between emitter-bases.
エミッタ-ベース間のわずかな電流を「ON/OFF」する事で、エミッタ-コレクタ間の大きな電流の「ON/OFF」の制御が出来、ここにスイッチング作用が得られる。 → Because "ON/OFF" does a few electric currents betweentheemitter-bass, can control "ON/OFF" ofthebig electric current between emitter-collectors,and switching action is provided here.
トランジスタスイッチと水道との類似 → Resemblance withatransistor switch andthewater service
水道と蛇口に例えてみると、スイッチ動作を理解し易い。 → It is easy to understand switch movement when compare it to water service andafaucet.
蛇口の開閉(ベース電流)で、水道に水(エミッタ-コレクター間に流れる電流)を流したり(ON)、止めたり(OFF)する。 → Bytheopening and shutting(base electric current)ofthefaucet, drain water(electric current flowing between emitter-collectors)intothechannel and stop (ON) and do (OFF).
トランジスタスイッチの通常の使い方は、ベース電流IBの「ON/OFF」で、コレクター電流ICの「ON/OFF」を行う。 → Normal how to use transistor switch performs "ON/OFF" ofthecollector electric current IC in "ON/OFF" of base electric current IB.
全開(Open)-ON → Fully opening (Open)-ON
全閉(Close)-OFF → All shut (Close)-OFF
(全開、全閉だけで、半開のような調節はしない) → (only with fully opening,all shut, do not make it is half-open adjustment)
コレクター電流ICは抵抗Rの値で決め、ベース電流IBの「ON/OFF」でICの「ON/OFF」を行う。 → Thecollector electric current IC performs "ON/OFF" ofthe IC decision withavalue of resistanceRin "ON/OFF" of base electric current IB.
様々なトランジスター → Various transistors
2SC1815の様な小信号用トランジスタでは、コレクタ電流は100mA程度である。 → Withthetransistor for small signals such as 2SC1815, thecollector electric current is around 100mA.
それより大きな電流を制御するパワートランジスターや、高速にスイッチングを行う高周波トランジスター等の様々なトランジスターが開発されてきた。 → Various transistors such asthepower transistor which controlledanelectric current bigger than it orthehigh frequency transistor which performed switching fast have been developed.
電気的特性 → Electrical characteristic
小信号用の2SC1815と、電力増幅用の2SC880との電気的特性を比較すると、用途に拠るトランジスタの性能の違いが判る。 → Understand difference in performance ofatransistor depending onause whenIcomparetheelectrical characteristic with 2SC880 for power amplification with 2SC1815 for small signals.
項目 → Item
2SC1815 → 2SC1815
2SD880 → 2SD880
VCEO → VCEO
50 V → 50V
60 V → 60V
IC → IC
150 mA → 150mA
3A → 3A
PC → PC
400mW → 400 mW
30W → 30W
hFE → hFE
70〜700 → 70-700
60〜300 → 60-300
fT → fT
80 MHz → 80MHz
3 MHz → 3MHz
VCEO → VCEO
ベース(B)開放時にコレクタ(C)-エミッタ(E)間に掛けられる最大電圧。 → It is collector (C) at the time of base (B) opening Themaximum voltage that is taken between emitter (E).
IC → IC
最大コレクタ(C)電流。 → Maximum collector (C) electric current.
PC → PC
周囲温度(Ta)=25℃で連続して消費させる事が出来る最大コレクタ(C)損失(放熱器なし) → Thebiggest collector (C) loss(there is no radiator)that can let you use it at ambient temperature(Ta) =25 degrees Celsius in succession
hFE → hFE
エミッタ(E)接地での直流に対する電流増幅率。 → Acurrent amplification rate forthedirect current bytheemitter (E) grounding.
(IC÷IB) → (IC÷IB)
fT → fT
周波数を上げて行くと電流増幅率が低下するが、ベース電流(IB)とコレクタ電流(IC)が等しくなる周波数。 → Thefrequency thatacurrent amplification rate decreases whenIraise frequency,butacollector electric current(IC)equals base electric current (IB).
直流増幅出来無くなる周波数(トランジション周波数) → Frequency(transition frequency)to become withoutthedirect current amplification result
液晶ディスプレー(LCD) → Liquid crystal display(LCD)
携帯、PC、TV等の液晶画面各画素(画面を構成してる最小単位)の「ON/OFF」を薄膜トランジスター(TFT) のスイッチで制御している。 → Control "ON/OFF" of each LCD screens pixel(thesmallest unit constitutingascreen)such as carrying,PC,TV withtheswitch ofthefilm transistor(TFT).
NPNトランジスターの仕組み → Structure oftheNPN transistor
各部はそれぞれ「ベース電流を土台」とし、「エミッタが放出した電子」を「コレクタが受け取る」と言う名前通りの働きをする。 → Theall parts assume"abase electric currentabase" each and work asthename street to say, "acollector receives""theelectron whichanemitter released".
(2007年6月7日 和田) → (June 7, 2007 Wada)